Quiz: INF.02 - Sprawdź wiedzę

1. Do jakiej kategorii pamięci półprzewodnikowych zalicza się pamięć Flash?

Do pamięci nieulotnych (Non-Volatile Memory). Do pamięci dynamicznych o cyklicznym odświeżaniu ładunku (DRAM). Do pamięci optycznych wielokrotnego zapisu. Do pamięci ulotnych zasilanych wyłącznie bateryjnie (SRAM).

2. Ile bitów danych przechowuje pojedyncza komórka pamięci Flash typu SLC (Single-Level Cell)?

4 bity danych 3 bity danych 1 bit danych 2 bity danych

3. Ile różnych poziomów napięć progowych musi rozróżniać komórka pamięci MLC (Multi-Level Cell) przechowująca 2 bity danych?

2 poziomy napięcia 4 poziomy napięcia (2^2) 8 poziomów napięcia 16 poziomów napięcia

4. Jaki kluczowy element konstrukcyjny tranzystora MOSFET odpowiada za przechowywanie ładunku w klasycznej komórce Flash?

Rezystor węglowy wbudowany w źródło tranzystora. Bramka pływająca (Floating Gate) odizolowana warstwą dielektryka. Płytka kwarcowa o rezonansie piezoelektrycznym. Wewnętrzna dioda Zenera włączona zaporowo.

5. Dlaczego przed nadpisaniem nowych danych na zapełnionej stronie pamięci Flash NAND wymagane jest wcześniejsze skasowanie całego bloku?

Komórki Flash można programować tylko w jedną stronę (ze stanu '1' na '0'), a powrót do '1' możliwy jest tylko dla całego bloku. Ponieważ kasowanie zmienia polaryzację zasilania na płycie głównej. Pamięć Flash nie potrafi odróżnić cyfry 0 od cyfry 1 bez kasowania. Wymusza to protokół NVMe ze względów bezpieczeństwa kryptograficznego.

6. Jaka technologia zastąpiła bramkę pływającą w wielu nowoczesnych pamięciach 3D NAND ze względu na lepszą odporność na upływ ładunku?

Pułapka ładunku (Charge Trap Flash – CTF) z warstwą azotku krzemu. Pętle nadprzewodzące chłodzone ciekłym azotem. Krople rtęci zamknięte w miniaturowych rurkach szklanych. Rezystor zmiennofazowy na bazie grafenu.

7. Ile bitów informacji jest zapisywanych w pojedynczej komórce Flash typu TLC (Triple-Level Cell)?

2 bity danych 3 bity danych 1 bit danych 6 bitów danych

8. Czym jest 'Over-Provisioning' (nadmiarowa przestrzeń) w nośnikach SSD?

Zewnętrzna pamięć w chmurze synchronizowana w czasie rzeczywistym. Ukryta partycja zawierająca kopię zapasową systemu operacyjnego Windows. Zapasowy akumulator podtrzymujący zasilanie kontrolera przez 24 godziny. Wydzielona część pamięci Flash niedostępna dla użytkownika, wykorzystywana przez kontroler do wear levelingu, obsługi błędów i oczyszczania bloków.

9. W jaki sposób obecność uwięzionych elektronów w bramce pływającej wpływa na odczyt komórki?

Zmniejsza pojemność pasożytniczą magistrali PCI Express. Zmienia opór mechaniczny nóżek układu scalonego. Modyfikuje napięcie progowe tranzystora, co decyduje o przewodzeniu prądu przy określonym napięciu odczytu. Powoduje zmianę barwy tranzystora widoczną w mikroskopie optycznym.

10. Gdzie powszechnie stosuje się pamięci Flash typu NAND?

W generatorach sygnału zegarowego na płytach głównych. Wyłącznie w zasilaczach impulsowych do stabilizacji napięcia 12 V. Jako pamięć rejestrową wewnątrz jednostki ALU procesora. W dyskach półprzewodnikowych SSD, kartach pamięci SD i pamięciach USB (pendrive).

Sprawdź swoją wiedzę